北京市对集成电路制造企业实施制程节点差异化配额,28纳米及以下先进制程的光罩层数排放强度基准值下浮20%。某企业年生产7纳米芯片,光罩层数50层,基准强度由0.85tCO₂/层降至0.68tCO₂/层,年度配额=50×0.68×产能利用率系数1.0=34吨。文件要求提供ASML光刻机运行日志验证实际制程,未达28纳米标称值的企业按上一代制程基准值核算。行业监测显示,14纳米制程实际排放强度较28纳米降低37%。
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