由于SoC芯片集成AP、BP、ISP和NPU等模块，SoC芯片的规模一般远大于普通的ASIC，加上深亚微米工艺带来的设计困难，SoC设计的复杂度大大提高。无论是工艺还是流片成本都非常高。目前智能手机SoC芯片制程大多在12nm以下，高端旗舰机以7nm为主流，除了联发科Helio P65、P90和G90等少数芯片以外，其他最新上市的SoC都已经跨过了10nm工艺的门槛。
而中国最先进晶圆代工厂——中芯国际，由于美国的制裁，目前最先进的制程只有4nm，乃至风险量产的N+1、N+2，距离芯片制造龙头台积电3nm工艺相差2-3代的技术工艺。目前，成熟工艺（28nm以下）仍然是中芯国际的主要营收来源。
尽管中芯国际联席CEO梁孟松此前曾披露，中芯国际的28nm、14nm、12nm、N+1等技术均已进入规模量产，7nm技术开发已经完成，但目前国内确实没有能够量产12nm制程以下的晶圆代工厂出现。
由于晶圆制造出现了寡头局面，台积电与三星合计市占比达到71%，目前12nm以下先进制程也主要由台积电和三星代工。
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